- напряжение затвор-подложка
-
напряжение затвор-подложка
-
Обозначение
UЗП
UGB
[ГОСТ 19095-73]Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- gate-substrate (d. c.) voltage
DE
- Gate-Substrat-Spannung
FR
- tension (continue) grille-substrat
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
Смотреть что такое "напряжение затвор-подложка" в других словарях:
максимально допустимое напряжение затвор-подложка — Обозначение UЗПmax UGBmax [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN maximum gate substrate voltage DE maximal zulässige Gate Bulk Spannung FR tension maximale grille substrate … Справочник технического переводчика
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… … Энциклопедия Кольера
КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — изменение термодинамич. и кинетич. свойств кристалла, когда хотя бы один из его геом. размеров становится соизмеримым с длиной волны де Бройля l Б электронов. К. р. э. обусловлены квантованием движения электрона в направлении, в к ром размер… … Физическая энциклопедия